MATERIALS FOR PRECISE ENGINEERING半導體製程 · 熱管理 · 材料開發
KT-X9 / THERMAL INTERFACE MATERIAL

熱傳導的關鍵,
在接觸介面。

面向高功率散熱介面,KT-X9 無矽導熱膏兼顧熱阻、塗布加工與長期穩定性。InnoChem 提供導熱膏選型與應用討論。

SILICONE-FREE / LOW IMPEDANCE / PROCESSABILITY
拖曳旋轉 · 結構示意,非產品尺寸
ENGINEERING DATA

看熱傳導,也看實際接觸熱阻表現。

5.5導熱係數 W/m·KHot Disk
0.05熱阻 K·cm²/WASTM D5470 / 40 psi
168 h300 W 平台壓力測試Intel Core i9-14900KS / AIDA64

KT-X9 技術數據

選擇測試壓力,查看對應熱阻。

項目數值/特性方法/條件
導熱係數5.5 W/m·KHot Disk
熱阻0.05 K·cm²/WASTM D5470 / 40 psi
黏度<400,000 cP產品資料表列 BF CVE #7
適用溫度範圍<110°C產品簡報規格頁
配方特性無矽依供應商產品資料

數據來源:KT-X9 技術簡報(260318),第 6、11、15 頁。第 11 頁列 40 psi 熱阻為 0.05、第 15 頁列一般規格 <0.06;此處保留各自條件,未將不同數據視為同一測試。實際熱表現取決於膜厚、接觸壓力、表面狀態與系統設計。

THERMAL EVALUATION WORKSPACE

把條件,帶進選材。

使用資料中的熱阻值,
估算熱介面本身的溫差。

01 / 設定條件KT-X9
50 W600 W
參考測試壓力

壓力僅提供原始資料中的兩個測試點,不進行內插。

02 / 介面估算P × Z / A
1.50°C

估算介面溫差 ΔT

參考熱阻 Z0.05 K·cm²/W
介面熱阻 Z / A0.0050 K/W

這是簡化的一維穩態估算,不是 CPU 溫度或完整散熱系統模擬。假設均勻接觸、全部輸入熱功率通過此介面;不含散熱器、環境、擴散熱阻及老化效應。

APPLICATION FOCUS

依應用,討論不同的導入條件。

關注高功率與溫度循環

提供元件功耗、散熱器接觸面積、壓合力與溫度循環範圍,評估介面熱阻與泵出風險。

RELIABILITY EVIDENCE

穩定性,需要時間與條件驗證。

KT-X9 300 W 壓力測試原始圖表

300 W / 168 小時壓力測試

原始簡報以 Intel Core i9-14900KS 與 AIDA64 進行測試,報告 KT-X9 的 P-core 最大溫度平均值為 89.6°C。

此為特定平台的測試結果,不可直接推算其他散熱系統的工作溫度。

KT-X9 泵出循環測試原始圖表

循環負載下的介面表現

原始圖表記錄 100 次循環,條件列為 Burn-in 3 min / Idle 3 min,並標示 Intel Core i5 4300U。可作為討論泵出與溫度變化的參考。

圖表保留供應商原始標示;詳細測試配置與原始報告可於技術評估時進一步確認。

PRODUCT EVALUATION

準備好你的散熱條件。

功耗、壓力、膜厚與溫度,
是選材討論的起點。

需要最新版 TDS、SDS 或樣品評估?提供應用與測試需求,我們再確認適用型號與供應條件。

TECHNICAL EVIDENCE

測試資料

資料為原始測試條件下的觀察結果,實際應用仍需驗證。

從你的製程條件開始。

告訴我們材料需求、操作條件與驗證目標。

與我們討論